- Lúc: 23:23
3. C. Eberspacher, K. Pauls, and J. Serra, (05/2002), “Non-Vacuum Processing of CIGS Solar Cells,” Proc. 29thIEEE PV Spec, New Orleans, Conf . 684.
4. Tham khảo internet
CHƯƠNG 1 - KHÁI QUÁT VỀ PMT MÀNG MỎNG THẾ HỆ MỚI 3
1.1 Lịch sử phát triển. 3
1.2 Những thách thức đặt ra. 3
1.3 Cấu trúc cơ bản và các tham số đặc trưng. 4
1.3.1 Cấu trúc cơ bản của PMT.. 4
1.3.2 Các đặc trưng về hiệu năng hoạt động của PMT 5
CHƯƠNG 2 - CHƯƠNG TRÌNH MÔ PHỎNG 6
2.1 Phương trình Poisson. 6
2.1.1 Nồng độ điện tử tự do và nồng độ lỗ trống tự do. 6
2.1.2 Nồng độ trạng thái (ND+, NA-, pt, nt). 8
2.1.3 Nồng độ các mức sai hỏng (nt và pt). 11
2.2.1 Mật độ dòng điện tử và mật độ dòng lỗ trống (Jn và Jp). 12
2.2.2 Quá trình tái hợp của hạt dẫn. 12
CHƯƠNG 3 - CÁC THÔNG SỐ ĐẦU VÀO CỦA CHƯƠNG TRÌNH MÔ PHỎNG MỘT CHIỀU AMPS – 1D. 14
3.1 Các tham số cơ bản. 14
3.1.1 Điều kiện môi trường. 14
3.1.2 Cấu trúc mô hình. 15
3.2 Tính chất chung. 16
3.2.1 Điều kiện ban đầu, hệ số phản xạ mặt trước và sau. 16
3.2.2 Hệ số phản xạ. 17
3.2.3 Sự tái hợp bề mặt 17
3.3 Tính chất của các lớp. 17
3.3.1 Tốc độ hạt tải và mối liên hệ với mật độ trạng thái 18
3.3.2 Hệ số hấp thụ. 19
3.4 Các trạng thái sai hỏng. 20
CHƯƠNG 4 - KẾT QUẢ VÀ KẾT LUẬN. 21
4.1 Ảnh hưởng của độ dày lớp hấp thụ CIGS. 21 4.2 Ảnh hưởng của hệ số phản xạ mặt trước
1.1 Lịch sử phát triển. 3
1.2 Những thách thức đặt ra. 3
1.3 Cấu trúc cơ bản và các tham số đặc trưng. 4
1.3.1 Cấu trúc cơ bản của PMT.. 4
1.3.2 Các đặc trưng về hiệu năng hoạt động của PMT 5
CHƯƠNG 2 - CHƯƠNG TRÌNH MÔ PHỎNG 6
2.1 Phương trình Poisson. 6
2.1.1 Nồng độ điện tử tự do và nồng độ lỗ trống tự do. 6
2.1.2 Nồng độ trạng thái (ND+, NA-, pt, nt). 8
2.1.3 Nồng độ các mức sai hỏng (nt và pt). 11
2.2.1 Mật độ dòng điện tử và mật độ dòng lỗ trống (Jn và Jp). 12
2.2.2 Quá trình tái hợp của hạt dẫn. 12
CHƯƠNG 3 - CÁC THÔNG SỐ ĐẦU VÀO CỦA CHƯƠNG TRÌNH MÔ PHỎNG MỘT CHIỀU AMPS – 1D. 14
3.1 Các tham số cơ bản. 14
3.1.1 Điều kiện môi trường. 14
3.1.2 Cấu trúc mô hình. 15
3.2 Tính chất chung. 16
3.2.1 Điều kiện ban đầu, hệ số phản xạ mặt trước và sau. 16
3.2.2 Hệ số phản xạ. 17
3.2.3 Sự tái hợp bề mặt 17
3.3 Tính chất của các lớp. 17
3.3.1 Tốc độ hạt tải và mối liên hệ với mật độ trạng thái 18
3.3.2 Hệ số hấp thụ. 19
3.4 Các trạng thái sai hỏng. 20
CHƯƠNG 4 - KẾT QUẢ VÀ KẾT LUẬN. 21
4.1 Ảnh hưởng của độ dày lớp hấp thụ CIGS. 21 4.2 Ảnh hưởng của hệ số phản xạ mặt trước
0 nhận xét